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TK12A50D
1个N沟道 耐压:500V 电流:12A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.45Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12A50D
- 商品编号
- C556317
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，封装为无引脚中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 宽温度范围：结温 (Tj) = 175℃
- 小型无引脚超薄 SMD 塑料封装：2 × 2 × 0.65 mm
- 镀锡 100% 可焊侧焊盘，便于光学焊接检查
- 静电放电 (ESD) 保护 > 2 kV 人体模型 (HBM)
- 沟槽 MOSFET 技术
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路