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SWD1N60DC
耐压:600V 电流:1A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进技术制造，拥有快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWD1N60DC
- 商品编号
- C5151744
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 198pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ESN7403是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN7403为无铅产品。
商品特性
- 高耐用性
- 低 RDS(ON)(典型值 7 Ω )@ VGS = 10 V
- 低栅极电荷(典型值7nC)
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
-充电器-适配器-LED