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SWD065R03VLT
耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩特性。漏源极电压（V<sub>DSS</sub>）：30V
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWD065R03VLT
- 商品编号
- C5151850
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 53.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.415nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优良的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为4.5 V时，漏源导通电阻低（典型值3.6 mΩ）；栅源电压为10 V时，漏源导通电阻低（典型值2.1 mΩ）
- 低栅极电荷（典型值140 nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-同步整流-锂电池保护板-逆变器