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SWD030R03VLT
耐压:30V 电流:110A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用了圣邦微电子（SAMWIN）的先进技术制造。该技术赋予了器件诸多优异特性，包括快速的开关时间、低导通电阻、低栅极电荷以及出色的雪崩特性。其BVDSS（击穿电压）为30V
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWD030R03VLT
- 商品编号
- C5151843
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 113.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.552nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 419pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10V时，低漏源导通电阻（典型值6.5mΩ）
- 低栅极电荷（典型值102nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
-同步整流-锂电池保护板-逆变器