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IAUT300N10S5N015
1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
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- 描述
- 特性：N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 超低导通电阻Rds(on)。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUT300N10S5N015
- 商品编号
- C5151439
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 216nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.011nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SiS407DN-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -30A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源