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NCES120P160D7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCES120P160D7

N沟道SiC功率MOSFET,低导通电阻、高速开关、易于并联且驱动简单

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商品型号
NCES120P160D7
商品编号
C54426066
商品封装
TO263-7L​
包装方式
编带
商品毛重
1.841克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)17A
耗散功率(Pd)88W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.8V
栅极电荷量(Qg)26.5nC
输入电容(Ciss)618pF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)66pF
导通电阻(RDS(on))160mΩ

商品概述

NCES120P160D7是一款碳化硅MOSFET,有助于应用的小型化和低功耗。该产品在不牺牲短路耐受时间的情况下,实现了行业领先的低导通电阻。这是一种TO263 - 7L封装类型,带有驱动源极端子,可最大限度发挥碳化硅MOSFET高速开关性能的特点。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 快速反向恢复
  • 易于并联
  • 驱动简单
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准

应用领域

  • 太阳能逆变器
  • DC/DC转换器
  • 开关模式电源
  • 感应加热
  • 电机驱动

数据手册PDF