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LJ15N65F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.747nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 224pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 650V，16A
- 当栅源电压（VGS）为10V时，导通电阻（RDS(ON)）小于0.62欧姆
- 快速开关
- 改善的电压变化率（dv/dt）能力