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LJ18N65F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- RDS(ON) < 0.25 Ω @VGS = 10V
- 快速开关能力
- 低栅极电荷
- 符合欧盟RoHS指令的无铅产品