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LJ30N100
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 品牌名称
- luJing(鲁晶)
- 商品型号
- LJ30N100
- 商品编号
- C54426037
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- VDS = 100V，ID = 30A(1)，RDS(ON)典型值：32mΩ，@ VGS = 10V(1)
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理