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LJ7N80
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 8A、500V，RDS(ON)最大值 = 1.8Ω（VGS = 10V/3.5A时）
- 低栅极电荷
- 低输入电容Ciss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力