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IRLML6401
1个P沟道 耐压:12V 电流:4.3A
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- 描述
- 快速开关 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- IRLML6401
- 商品编号
- C5148469
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V,2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进沟槽工艺技术 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻 采用SOT-23表面贴装封装。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V
- 漏极电流（ID） = 6.5A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)）最大值 = 22mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)）最大值 = 26mΩ