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IRLML6402实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLML6402

1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A

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描述
先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计,实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装
商品型号
IRLML6402
商品编号
C5148470
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.7A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@2.5V,3.1A
属性参数值
耗散功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
输入电容(Ciss)600pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF