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AO3407
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。用于表面贴装封装的SOT-23
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- AO3407
- 商品编号
- C5148473
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进沟槽工艺技术 用于超低导通电阻的高密度单元设计 表面贴装封装采用SOT - 23。
商品特性
- VDS = -20V
- ID = -3.7A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON)典型值为50mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON)典型值为80mΩ