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DO4614U
N+P通道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热良好
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- 描述
- N+P管/40V/4.5A/45MΩ/(典型35MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4614U
- 商品编号
- C54349775
- 商品封装
- SOT-23-6D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34.6pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于各种应用。
商品特性
- N沟道：VDS = 40V，ID = 4.5A，RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 10V（典型值：35mΩ）
- P沟道：VDS = -40V，ID = -3.5A，RDS(ON) < 80mΩ @ VGS = -10V（典型值：65mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 出色的封装，散热性能良好
- MSL3