温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOC3400B
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术与设计，低栅极电荷，适用于多种应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N+N管/30V/6A/24MΩ/(典型22MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOC3400B
- 商品编号
- C54349778
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56.7pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A，RDS(ON) < 23mΩ（在VGS = 10V时，典型值为18mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好
- MSL3
- DO02B02A
- HK32F403CBT7
- DT-128M
- ZOCKEY-380S
- Q24P10C
- 4V21008AT
- 6-50M-20mm
- MH0603A106M100N8RN
- CSA0402C0G1R0C500GT
- MH0402A105K6R3N5RN
- MH0201A105M6R3N3RA
- CSA0201X5R224K250ET
- CSA0402X7R224K250GT
- MH0603A226M6R3N8RC
- CMA0603X5R105M160JT
- CSA0805X7R104K500KU
- CSA0805X7R103K501MT
- MH0603A106M6R3N8RN
- CMA0201X5R104M100ET
- CSA0201X5R224M100ET
- MH0402A105M100N5RN