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DOC3400B
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术与设计，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- N+N管/30V/6A/24MΩ/(典型22MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOC3400B
- 商品编号
- C54349778
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56.7pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A，RDS(ON) < 23mΩ（在VGS = 10V时，典型值为18mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好
- MSL3