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DO02B02A
2N+2P通道MOSFET，采用先进沟槽技术和设计，低栅极电荷，超低导通电阻，散热良好
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- 描述
- 2N+2P管/20V/2A/55MΩ/(典型42MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO02B02A
- 商品编号
- C54349779
- 商品封装
- SOT-23-6D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0408克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 760mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品概述
这款2N+2P通道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
- N通道：VDS = 20V，ID = 2A，RDS(ON) < 55mΩ（VGS = 4.5V时，典型值为42mΩ）
- P通道：VDS = -20V，ID = -2A，RDS(ON) < 120mΩ（VGS = -4.5V时，典型值为90mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热良好
- MSL3