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DO6800B
采用先进沟槽技术的双N沟道MOSFET，具有低栅极电荷和良好散热性
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- 描述
- N+N管/30V/5A/30MΩ/(典型23MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO6800B
- 商品编号
- C54349777
- 商品封装
- SOT-23-6D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5A，RDS(ON) < 30mΩ（在VGS = 10V时，典型值为23mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（Rds(ON)）
- 优秀的封装，散热良好
- MSL3