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NE010TG-B
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET，低栅极电荷，散热良好
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- 描述
- SGT2工艺/N管/60V/45A/10MΩ/(典型8MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NE010TG-B
- 商品编号
- C54300816
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 869pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 388.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 45A，在栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 10mΩ（典型值：8mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可选
- 采用先进的高单元密度SGT技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热良好
- MSL3