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YC1R3TG-PL
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET，低栅极电荷，散热性好
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- 描述
- SGT工艺/N管/30V/170A/1.3MΩ/(典型1MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- YC1R3TG-PL
- 商品编号
- C54300827
- 商品封装
- TDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 313W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.554nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 170A，RDS(ON) < 1.3mΩ（UGS = 10V，典型值：1.2mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可供选择
- 采用先进的高单元密度SGT技术，实现超低导通电阻
- 出色的封装，散热性能良好
- MSL3