温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NH018T2G-L
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET，低栅极电荷，导通电阻低，散热好
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SGT2工艺/N管/100V/40A/18MΩ/(典型15MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NH018T2G-L
- 商品编号
- C54300818
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 291pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的导通电阻（Ron）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 40A，RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V（典型值：15mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度SGT技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好
- MSL3