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NE015TPG
采用先进SGT技术的P沟道MOSFET，低栅极电荷，具备良好散热性能
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- 描述
- SGT工艺/P管/60V/55A/15MΩ/(典型11MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NE015TPG
- 商品编号
- C54300822
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 459pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于各种应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -55A，在VGS = -10V时RDS(ON) < 15mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 出色的封装，散热性能良好