IXTP1R6N50P-VB

N沟道；电压：650V；电流：2A；导通电阻：3120(mΩ)

描述

台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=3120(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

IXTP1R6N50P-VB

商品编号

C54177241

商品封装

TO-220AB​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)