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IPP120N08S4-03-VB
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；100V；340A；RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPP120N08S4-03-VB
- 商品编号
- C54177261
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.32克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100% R₉和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源：
- 不间断电源
- AC/DC开关电源
- 照明
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 太阳能微逆变器
- D类音频放大器