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IPB031N08N5ATMA1-VB实物图
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IPB031N08N5ATMA1-VB

N沟道;电压:80V;电流:150A;导通电阻:3.1(mΩ)

描述
台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;80V;150A;RDS(ON)=3.1(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用SGT技术;
商品型号
IPB031N08N5ATMA1-VB
商品编号
C54177274
商品封装
TO-263​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

商品特性

  • SGT技术功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 最高结温150°C

应用领域

  • 电源:
    • 不间断电源
    • 交直流开关模式电源
    • 照明
  • 同步整流
  • 直流-直流转换器
  • 电机驱动开关
  • 直流-交流逆变器
  • 太阳能微型逆变器
  • D类音频放大器

数据手册PDF