温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SUP60020E-GE3-VB
SUP60020E-GE3-VB
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；100V；340A；RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUP60020E-GE3-VB
- 商品编号
- C54177282
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 455W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.246nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100% R₉和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源：
- 不间断电源
- 交流/直流开关模式电源
- 照明
- 同步整流
- 直流/直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流/交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器