IXTY1R6N50D2-VB

N沟道；电压：650V；电流：5A；导通电阻：1000(mΩ)

描述

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；5A；RDS(ON)=1000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

IXTY1R6N50D2-VB

商品编号

C54177249

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)