IPP034NE7N3 G-VB
N沟道;电压:80V;电流:180A;导通电阻:2.9(mΩ)
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;80V;180A;RDS(ON)=2.9(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;采用SGT技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPP034NE7N3 G-VB
- 商品编号
- C54177260
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 100%栅极电阻Rg和非钳位感性负载(UIS)测试
- 最高结温150°C
应用领域
- 电源:
- 不间断电源
- 交流/直流开关模式电源
- 照明
- 同步整流
- 直流/直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流/交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器
- IPP120N08S4-03-VB
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- IPP040N08NF2SAKMA1-VB
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