- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTP6N50D2-VB
N沟道；电压：650V；电流：18A；导通电阻：430(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；18A；RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IXTP6N50D2-VB
- 商品编号
- C54177244
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 降低反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr和反向恢复峰值电流IRRM
- 低品质因数（FOM）导通电阻R(on)×栅极电荷Qg
- 低输入电容C(iss)
- 由于降低了反向恢复电荷Qrr，开关损耗低
- 超低栅极电荷Qg
- 雪崩能量额定（UIS）