- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIZ322DT-T1-GE3-VB
N+N沟道；电压：30V；电流：35A；导通电阻：9(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)-C；N+N—Channel沟道；30V；35A；RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIZ322DT-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C54176957
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 257pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据 IEC 61249 - 2 - 21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 UIS 测试
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 机顶盒
- 低电流 DC/DC