- 引脚图
- 焊盘图
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BSZ018N04LS6-VB
N沟道；电压：40V；电流：60A；导通电阻：2(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道；40V；60A；RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSZ018N04LS6-VB
- 商品编号
- C54176959
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽第四代功率MOSFET
- 100%进行R9和UIS测试
- 针对最低的RDS - Qoss FOM进行优化
应用领域
- DC/DC电源
- 同步整流
- 电机驱动控制
- 电信负载点电源和模块
- 电池保护