- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQ1539EH-T1_GE3-VB
N+P沟道；电压：±20V；电流：3.28/-2.8A；导通电阻：90/155(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SC70-6；N+P—Channel沟道；±20V；3.28/-2.8A；RDS(ON)=90/155(mΩ)@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.0/-1.2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ1539EH-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C54176961
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.28A；2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据 IEC 61249 - 2 - 21 定义，无卤
- 沟槽功率 MOSFET：额定 1.8 V
- 热增强型 SC - 70 封装
- 快速开关
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC