- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK3451-01MR-VB
N沟道；电压：650V；电流：20A；导通电阻：320(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=320(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK3451-01MR-VB
- 商品编号
- C54176969
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数（FOM）：导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
- 采用TO - 220 FULLPAK封装
- N沟道MOSFET