AOU4S60-VB
N沟道;电压:650V;电流:5A;导通电阻:950(mΩ)
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO251;N—Channel沟道;650V;5A;RDS(ON)=950(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AOU4S60-VB
- 商品编号
- C54176990
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷Qg,降低驱动要求
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC


