- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG4N65CTI-VB
N沟道；电压：650V；电流：4A；导通电阻：2200(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMG4N65CTI-VB
- 商品编号
- C54176995
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.22克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷Qg，简化驱动要求
- 改善栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 完整表征电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC