- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCD380N60E-VB
N沟道；电压：650V；电流：11A；导通电阻：370(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；11A；RDS(ON)=370(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FCD380N60E-VB
- 商品编号
- C54177000
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数（FOM）R_on × Q_g
- 低输入电容（C_iss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Q_g）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光镇流器照明
- 工业