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FDD5N50NZFTM-VB
N沟道；电压：650V；电流：5A；导通电阻：1000(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；5A；RDS(ON)=1000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDD5N50NZFTM-VB
- 商品编号
- C54177020
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.84克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷Qg，降低驱动要求
- 改善栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性
- 全面表征电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC