FQD3N40TM-VB

N沟道；电压：650V；电流：4A；导通电阻：2200(mΩ)

描述

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

FQD3N40TM-VB

商品编号

C54177053

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)