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FQP3N30-VB
N沟道；电压：650V；电流：4A；导通电阻：2200(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQP3N30-VB
- 商品编号
- C54177063
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.017nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，简化驱动要求
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的鲁棒性
- 对电容、雪崩电压和电流进行了全面表征
- 符合RoHS指令2002/95/EC