FQD3N30TF-VB
N沟道;电压:650V;电流:4A;导通电阻:2200(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQD3N30TF-VB
- 商品编号
- C54177052
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
