FCA16N60N-VB
N沟道；电压：600V；电流：20A；导通电阻：190(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO3P；N—Channel沟道；600V；20A；RDS(ON)=190(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FCA16N60N-VB
- 商品编号
- C54176996
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 降低trr、Qrr和IRRM
- 低品质因数（FOM）R(on)×Qg
- 低输入电容（Ciss）
- 由于Qrr降低，开关损耗低
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 电信：服务器和电信电源
- 照明：高强度放电（HID）、荧光镇流器照明
- 消费和计算：ATX电源
- 工业：焊接、电池充电器
- 可再生能源：太阳能（光伏逆变器）
- 开关模式电源（SMPS）