- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK552-VB
N沟道；电压：600V；电流：8A；导通电阻：780(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；600V；8A；RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK552-VB
- 商品编号
- C54176975
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷Qg导致简单的驱动要求
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性
- 完全表征了电容、雪崩电压和电流
- RoHS兼容
- N沟道MOSFET
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 有源钳位正激
- 主开关