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PBLS4003Y,115实物图
  • PBLS4003Y,115商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PBLS4003Y,115

PNP低VcEsat BISS晶体管和NPN电阻晶体管组合封装

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描述
PNP低VCEsat小信号突破(BISS)晶体管和NPN电阻式晶体管(RET)封装在一个封装中。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PBLS4003Y,115
商品编号
C551798
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量-
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)500mA
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)150@100mA.2V;30@5mA,5V
属性参数值
射基极击穿电压(Vebo)6V
最小输入电压(VI(on))2.5V
最大输入电压(VI(off))800mV
输入电阻13kΩ
电阻比率1
工作温度-65℃~+150℃

数据手册PDF