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PBRP113ZT,215
40V、600mA PNP PB RET
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- 描述
- 采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat性能基（PB）带电阻晶体管（RET）。NPN互补型号为PBRN113ZT。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PBRP113ZT,215
- 商品编号
- C551815
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 190 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1V | |
| 输入电阻 | 1.3kΩ | |
| 电阻比率 | 11 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 45mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的基于性能（PB）的PNP低VCEsat带电阻晶体管（RET）。
商品特性
- 600 mA输出电流能力
- 低集电极 - 发射极饱和电压VCEsat
- 高电流增益hFE
- 减少元件数量
- 内置偏置电阻
- 降低贴装成本
- 简化电路设计
- 电阻比率公差 ± 10 %
应用领域
-汽车和工业领域的数字应用-开关负载-中等电流外设驱动器