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PBRN113ZT,215
40V、600mA NPN 预偏置（PB）、达林顿管（RET）
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- 描述
- 采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN低VCEsat基于性能（PB）的带电阻晶体管（RET）。互补PNP型器件：PBRP113ZT
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PBRN113ZT,215
- 商品编号
- C551812
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 500@300mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 400mV | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV | |
| 输入电阻 | 1kΩ | |
| 电阻比率 | 11 | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.15V@8mA,800mA |
商品概述
采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的基于低VCEsat性能（PB）的配备电阻器晶体管（RET）NPN型晶体管。
商品特性
- 输出电流能力达600 mA
- 集电极 - 发射极饱和电压VCEsat低
- 电流增益hFE高
- 减少元件数量
- 内置偏置电阻
- 降低贴装成本
- 简化电路设计
- 电阻比容差为± 10 %
应用领域
-汽车和工业领域的数字应用-负载开关-中等电流外设驱动器