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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO4466

1个N沟道 耐压:30V 电流:10A

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。源极引脚分开,允许与源极进行开尔文连接,可用于绕过源极电感。
商品型号
AO4466
商品编号
C5125947
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)7.1nC@10V
输入电容(Ciss)373pF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)67pF

数据手册PDF