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AO4826
2个N沟道 耐压:60V 电流:7A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和超低的栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 RDS(ON) < 0.028Ω (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 0.03Ω (VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4826
- 商品编号
- C5125953
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
AO4807采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS(V) = -30 V
- ID = -6 A(VGS = 10 V)
- RDS(ON)< 35 mΩ(VGS=10 V)
- RDS(ON)<58 mΩ(VGS=4.5 V)