温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4480
1个N沟道 耐压:40V 电流:14A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 静电放电保护。 VDS(V) = 40V。 ID = 14A。 RDS(ON) < 12mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4480
- 商品编号
- C5125948
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6A
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 23mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 35mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式设备的电池管理
- 逻辑电平转换