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AO4486
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = 100V。 ID = 4.2A。 RDS(ON) < 79mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 94mΩ (VGS = 4.5V)。应用：升压转换器。 同步整流器，用于消费、电信、工业电源和LED背光
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4486
- 商品编号
- C5125950
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 778pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |