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AO4807
2个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷。VDS(V) = -30V。ID = -6A（VGS = 10V）。RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V）。RDS(ON) < 58mΩ（VGS = 4.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4807
- 商品编号
- C5125952
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V；33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |