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DMG3415UFY4Q-7
1个P沟道 耐压:16V 电流:2.5A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG3415UFY4Q-7
- 商品编号
- C5124975
- 商品封装
- X2-DFN2015-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 282pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET经过精心设计，在最大程度降低导通电阻 RDS(on) 的同时，还能保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-超小型表面贴装封装-栅极具备静电放电保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,属于“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
- 负载开关-便携式应用-电源管理功能